1. सिलिकॉन कार्बाइड क्या है?
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कार्बन और सिलिकॉन से बना एक यौगिक है, आमतौर पर काले या हरे क्रिस्टल के रूप म . यह एक बहुत कठिन सामग्री है, जहाँ एक उच्च पिघलने बिंदु, उत्कृष्ट थर्मल चालकता और रासायनिक प्रतिरोध है, इसलिए यह व्यापक रूप से पीस, काटने, इलेक्ट्रॉनिक उपकरण और उच्च-प्रभावकारी उपकरण {{2}
2. सिलिकॉन कार्बाइड के मुख्य अनुप्रयोग क्या हैं?
घर्षण सामग्री: पीसने वाले पहिया, सैंडपेपर, घर्षण, आदि बनावै के लिए उपयोग कीन जात है .
सेमीकंडक्टर सामग्री: उच्च तापमान, उच्च आवृत्ति अऊर उच्च-शक्ति इलेक्ट्रॉनिक उपकरण जइसे डायोड, MOSFETs, आदि बनावै के लिए उपयोग कीन जात है।
दुर्दम्य सामग्री: उच्च तापमान वाले वातावरण म उपयोग किया जात है जैसे कि उच्च तापमान का भट्ठी और हीट एक्सचेंजर .
यांत्रिक सील: यांत्रिक उपकरण म सीलिंग के लिए उपयोग किया जात है जैसे कि पंप और कंप्रेसर .
सिरेमिक सामग्री: विभिन्न पहनने-प्रतिरोधी और जंग-प्रतिरोधी सिरेमिक उत्पाद बनाने के लिए उपयोग किया जात है .
3. कितने प्रकार के सिलिकॉन कार्बाइड हैं?
काला सिलिकॉन कार्बाइड: अधिक कार्बन सामग्री और उच्च कठोरता होती है, और मुख्य रूप से ग्राइंडिंग सामग्री .
ग्रीन सिलिकॉन कार्बाइड: अधिक शुद्धता और अधिक कठोरता है, और मुख्य रूप से कठोर सामग्री काटने के लिए उपयोग किया जात है .
प्रतिक्रिया-बंधित सिलिकॉन कार्बाइड (आरबीएसआईसी): रिएक्शन सिंटरिंग प्रक्रिया द्वारा बनावा गा है, यहिमा उत्कृष्ट यांत्रिक गुण अउर जंग प्रतिरोध .
हॉट-दर्शित सिंटरड सिलिकॉन कार्बाइड (एचपीएसआईसी): गर्म-दबाने वाली सिंटरिंग प्रक्रिया द्वारा बनाया गया है, इसमें अधिक घनत्व और यांत्रिक ताकत {{2}
4. सिलिकॉन कार्बाइड कय तैयारी कय तरीका का होत है?
पारंपरिक पद्धति: क्वार्ट्ज रेत और पेट्रोलियम कोक के मिश्रण को गर्म करके बनाया गया है, एक प्रतिरोध भट्ठी म उच्च तापमान म
वाष्प जमाव पद्धति (सीवीडी): रासायनिक वाष्प जमाव प्रौद्योगिकी द्वारा एक सब्सट्रेट पर सिलिकॉन कार्बाइड फिल्म का जमा करना .
सिंटरिंग विधि: प्रतिक्रिया सिंटरिंग, गर्म दबाव सिंटरिंग, आदि सहित, सिलिकॉन कार्बाइड पाउडर का आकार मा दबा के अउर उच्च तापमान .
5. सेमीकंडक्टर फ़ील्ड मा सिलिकॉन कार्बाइड कय फायदा का है?
हाई ब्रेकडाउन विद्युत फील्ड ताकत: उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगन का अनुमति देत है .
उच्च थर्मल चालकता: प्रभावी गर्मी के अलगाव, उच्च-शक्ति उपकरण के लिए उपयुक्त है .
उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: डिवाइस के स्विचिंग गति म सुधार करत है .
व्यापक बैंडगैप: अभी भी उच्च तापमान पर उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉनिक प्रदर्शन बनाए रख सकत है .
